An Asynchronous Memory Array for Robust Embedded Systems

سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,046

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE13_223

تاریخ نمایه سازی: 27 آبان 1386

چکیده مقاله:

This paper presents a fully asynchronous 1k´4bit memory array with no assumption regarding to gate delays; thus suitable for systems with considerable changes in the voltage level and the environmental variables. The nominal voltage level was 3.3v, and it is shown that the design can still operate properly at the voltage levels as low as 1.2v. The design is based on QDI timing model and implemented using the Martin method.

کلیدواژه ها:

Asynchronous ، Memory array ، Automatic adaptation to Environmental conditions

نویسندگان

Samiei

Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology

Pedram

Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology

Naderi

Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology

Salehi

Department of Computer Eng. and Information Technology, Amirkabir University of Technology