یک مدار جدید مبتنی بر ترانسفورمر مغناطیسی برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت با قابلیت انتقال پالسهائی با ضریب وظیفه صفر تا یک

در این مقاله، مدار جدیدی برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت (MOSFET/IGBT) ارائه گردیده است. در این مدار برای ایاد ابزولاسیون بین ترانزیستور قدرت و بخش کنترل کننده، از یک ترانسفورمر مغناطیسی بسیار کوچک استفاده کردیده که ضمن کاستن از فضای مورد نیاز برای پیاده سازی مدار درایو، سبب دستیابی به سطح پالس مثبت و منفی قرینه و مستقل از ضریب وظیفه سیگنالی کنترلی می گردد. نتایج حاصل از شبیه سازی به همراه نتایج عملی یک نمونه طراحی شده ارائه گردیده که مبین عملکرد رضایت بخش مدار درایو پیشنهادی می باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای قدرت ، ترانس پالس ، درایو گیت