تاثیرتوان کندوپاش بر خواص الکتریکی، اپتیکی، ساختار کریستالی و سطح یلایه های نازک و شفاف ITO
محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,702
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE15_359
تاریخ نمایه سازی: 17 بهمن 1385
چکیده مقاله:
لایه های نازک اکسید ایندیم با آلایش قطع (ITO) بر روی زیر لایه های شیشه نازک با استفاده از کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. هدف این پژوهش، تغییر توان کندوپاش برای بدست اوردن لایه ای با مقاومت الکتریکی حداقل و درصد عبور نوری مناسب در محدوده طول موجهای قابل دید (مرئی) می باشد. پس از لایه نشانی در محیط گاز آرگن، نمونه ها در محیط خلا در دمای 400 درجه سانتی گراد پخت شده اند. خواص الکترکی، اپتیکی، ساختار کریستالی و ساختار سطحی این لایه ها با کمک آنالیزهای اندازه گیری مقاومت چهارپروبی، طیف AFM, XRD, UN/VIS/IR مورد بررسی قرار گرفته است. از میان لایه های ITO که در توانهای مختلف 100، 200 و 300 وات و با شرایط مشابه لایه نشانی شدند. لایه ای بهینه است که در توان 300 وات لایه نشانی شده و دارای مقاومت الکتریکی Wcm1/25 ´ده به توان منفی چهار و میانگین درصد عبور نوری 80% در ناحیه قابل دید می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نگین معنوی زاده
آزمایشگاه تحقیقاتی
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
رضا افضل زاده
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران
هادی ملکی
پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده لیزر و اپتیک ، سازمان انرژی ات
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :