CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

Smart Etch or Plasma Hydrogenation-AssistedH igh Aspect Ratio Etching of Silicon

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۵ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۶۵۹ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: الکترونیک / Electronics
سال انتشار: ۱۳۸۶
کد COI مقاله: ICEE15_368
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۸۲۳.۵۳ کلیوبایت (فایل این مقاله در ۵ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید. در پایگاه سیویلیکا عموما مقالات زیر ۵ صفحه فولتکست محسوب نمی شوند و برای خرید اینترنتی عرضه نمی شوند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۵ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳۰,۰۰۰ ریال

آدرس ایمیل خود را در زیر وارد نموده و کلید خرید با پرداخت اینترنتی را بزنید. آدرس ایمیل:

رفتن به مرحله بعد:

در صورت بروز هر گونه مشکل در روند خرید اینترنتی، بخش پشتیبانی کاربران آماده پاسخگویی به مشکلات و سوالات شما می باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله Smart Etch or Plasma Hydrogenation-AssistedH igh Aspect Ratio Etching of Silicon

   Azimi - Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran
   Sammak - Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran
   Khadem Hosseinieh - Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran
   Mohajerzadeh - Thin Film Lab,E CED ept.,University of Tehran

چکیده مقاله:

Achieving a novel plasma hydrogenation assisted vertical etching of silicon is reported. The process uses a sequential ydrogenation/oxygenation
and reactive ion etching to stimulate the vertical removal of the exposedS i substrotew ithout damaging the sidewalls. 3-D structures with aspect ratios of 30:I and features as small as 0.7um have been realized. Also high aspect ratio etching of PET plastics by means of directional ultra-violet illumination ,s reported. Fabrication of various structures suitable for sensor applications is reported.

کلیدواژه‌ها:

Vertical etching, Micromachining, Reactive Ion Etching, hydrogen Plasma, Ultra- Violet, PET, Silicon.

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_368.html
کد COI مقاله: ICEE15_368

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Azimi, ; Sammak; Khadem Hosseinieh & Mohajerzadeh, ۱۳۸۶, Smart Etch or Plasma Hydrogenation-AssistedH igh Aspect Ratio Etching of Silicon, پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران, تهران, مرکز تحقیقات مخابرات ایران, https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_368.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (Azimi, ; Sammak; Khadem Hosseinieh & Mohajerzadeh, ۱۳۸۶)
برای بار دوم به بعد: (Azimi; Sammak; Khadem Hosseinieh & Mohajerzadeh, ۱۳۸۶)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • F.Laermer, A.Schilp, K.Funk and M.Offenberg, _ 4Bosch Deep Silicon Etching: ...
  • Y.Komijani et al, Ultraviolet Assisted 3D _ icrostructures on PET, ...
  • S.M.Sze, Semicorductor Sersors, Wiley- Interscience Publication, , pp. 29-31, 1994. ...
  • G.Marcos, A, Rhallabi and P. Ranson, *Study of High Aspect ...
  • Farrokh Ayazi and Khalil Najafi, *High Aspect- Ratio Combined Poly ...
  • A A Ayon, R L Bayt and K S Breuer, ...
  • F. Marty et al, «Advanced Etching of Silicon Based _ ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز:
    تعداد مقالات: ۶۴۰۷۳
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.