ترانزیستورهای چند بلوره لایه نازک سیلیکان بر روی پلاستیک

در این مقاله روش نوینی برای بلورینه کردن سیلیکان بر روی پلاستیک در دماهای زیر 165 درجه سانتیگراد ارائه می گردد. از انجاییکه رشد بلور سیلیکان بصورت معمول دردماهای بالاتر از 450 درجه سانتی گراد امکان پذیر می باشد، جهت رشد بلور در دمای پایین 165 درجه سانتی گراد برای اولین بار از ترکیب دو مرحله هیدروژناسیون و استرس مکانیکی استفاده شده است که امکان استفاده از پلاستیک بعنوان بستر را محقق می سازد. با استفاده از این تکنیک ترانزیستورهای لایه نازک با سیلیکان با نسبت روشن به خاموش بیش از 2000 و ضریب تحرک پذیری در حد 10 بدست آمده اند.

کلیدواژه ها:

استرس ، نانوبلور ، پلاستیک ، ترانزیستور