CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

بررسی توان بسامد رادیوئی RF بر روی خواص فیزیکی لایه های نانوبلوری اکسید روی

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۶ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۴۲ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: الکترونیک / Electronics
سال انتشار: ۱۳۸۶
کد COI مقاله: ICEE15_382
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۷۰۰.۰۵ کلیوبایت (فایل این مقاله در ۶ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید. در پایگاه سیویلیکا عموما مقالات زیر ۵ صفحه فولتکست محسوب نمی شوند و برای خرید اینترنتی عرضه نمی شوند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۶ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳۰,۰۰۰ ریال

آدرس ایمیل خود را در زیر وارد نموده و کلید خرید با پرداخت اینترنتی را بزنید. آدرس ایمیل:

رفتن به مرحله بعد:

در صورت بروز هر گونه مشکل در روند خرید اینترنتی، بخش پشتیبانی کاربران آماده پاسخگویی به مشکلات و سوالات شما می باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی توان بسامد رادیوئی RF بر روی خواص فیزیکی لایه های نانوبلوری اکسید روی

فاطمه دهقان نیری - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
بهزاد اسفندیار پور - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
شمس الدین مهاجرزاده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک

چکیده مقاله:

لایه های نازک اکسید روی بر روی زیر لایه های شیشه و سیلیکون (100) با روش کند و پاش RF لایه نشانی شده است.لایه نشانی در حضور پلاسمای گاز آرگون با خلوص (99/99%) و بدون گرمادهی زیر لایه ها با تغییر توان RF از 50 تا 350 وات انجام شده و تاثیر توان لایه نشانی روی ساختار سطحی، کیفیت بلوری، خواص نوری و تنش این لایه ها بررسی شده است. آنالیز پراش اشعه (XRD)x بر روی نمونه های لایه نشنی شده با توان RF کمتر از 200 وات ساختار بلوری و جهت غالب (002) را نشان میدهد . البته توان 150 وات به دلیل داشتن پیک با شدت زیاد در جهت (002) از کیفیت بالای بلوری برخوردار است. نتایج آنالیز پراش اشعه x مربوط به توان 150 وات را نشان می دهد که دارای کمترین مقدار نصف عرض پیک (FWHM) یعنی 0/43 درجه سانتی گراد می باشد. آنالیز میکروسکوپ الکترونی (SEM) انجام شده از نمونه ها حاکی از آن است که اندازه دانه های رشد داده شده با توان 150 وات درمقایسه با بقیه بزرگترین مقدار است. همچنین یکنواختی و چگال بودن لایه را نیز به طور واضح نشان می دهد. آنالیز طیف نگاری نیز نشان می دهد که لایه اکسید روی با توان 150 وات درصد عبور بالای یه طور میانگین 85% در محدوده نور مرئی را دارا می باشد. همچنین انرژی باند ممنوعه این لایه ها از 3.25ev تا 3.31ev بسته به توان لایه نشانی تغییر می کند.

کلیدواژه‌ها:

سیستم کند و پاش RF ، خواص بلوری ، ساختار سطحی ، لایه های نازک اکسید روی ، تنش پسماند

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_382.html
کد COI مقاله: ICEE15_382

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
دهقان نیری, فاطمه؛ بهزاد اسفندیار پور؛ ابراهیم اصل سلیمانی و شمس الدین مهاجرزاده، ۱۳۸۶، بررسی توان بسامد رادیوئی RF بر روی خواص فیزیکی لایه های نانوبلوری اکسید روی، پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران، تهران، مرکز تحقیقات مخابرات ایران، https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_382.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (دهقان نیری, فاطمه؛ بهزاد اسفندیار پور؛ ابراهیم اصل سلیمانی و شمس الدین مهاجرزاده، ۱۳۸۶)
برای بار دوم به بعد: (دهقان نیری؛ اسفندیار پور؛ اصل سلیمانی و مهاجرزاده، ۱۳۸۶)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • F. Chaabouni, M. Abaab and B. Rezig, Materials Science and ...
  • T. Minami, H. Sato, H. Nanto, S. Takata, J. Appl. ...
  • Z.C. Jin, I. Hamberg, C.G. Granqvist, Thin Solid Films 164 ...
  • J. Ma, F. Ji, D.-h. Zhang, H.-L. Ma, S.-Y. Li, ...
  • I. Sieber, N. Wanderka, _ Urban, I.E. Schierhorn, F. Fenske, ...
  • O. Kluth, B. Rech, L. Houben, S. Wieder, G. Schope, ...
  • K.S. Weibenrieder, J. Muller, Thin Solid Films 300 (1997) 30. ...
  • U. Lampe, J. Muller, Sens. Actuators 18 (1989) 269. ...
  • G. Sberveglieri, S. Groppelli, P. Nelli, Sens. Actuators B 7 ...
  • S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, ...
  • .L. Hoffman, B.J. Norris, J.F. Wager, Appl. Phyis. Lett. 82 ...
  • S. Zhu, C-H. Su, S.L. Lehoczky, P. Peters, M.A. George, ...
  • L.-J. Meng, M.P. Dos Santos, Thin Solid Films 250 (1994) ...
  • T. Inukai, M. Matsuoka, K. Ono, Thin Solid Films 257 ...
  • V. Craciun, J. Elders, J.G.E. Gardeniers, J. Geretovsky, I.W. Boyd, ...
  • T.K. _ ubramanyam, B. Srinivasulu Naidu, S. Uthanna, Crystal Research ...
  • A. s an chez-Juarez, _ Tiburcio -Silver, A. Ortiz, E.P. ...
  • K.K. Kim, J.H. Song, H.J. Jung, S.J. Park, J. Appl. ...
  • H.Z. Wu, K.M. He, D.J. Qui, D.M. Huang, J. . ...
  • Y.G. Wang, S.P. Lau, H.W. Lee, S.F. Yu, B.K. Tay, ...
  • S. Peulon, D. Lincot, Adv. Mater. 8 (1996) 166. ...
  • Z.H. Gu, T.Z. Fahidy, J. Electrochem. Soc. 146 (1999) 156. ...
  • M. Izaki, T. Omi, J. Electrochem. Soc. 143 (1996) L53. ...
  • S.A. Studenikin, _ Golego, M. Cocivera, J. Appl. Phys. 84 ...
  • Y.F. Chen, D. Bagnall, T.F. Yao, Mater. Sci. Eng., B ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.