CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۵ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۴۱۰ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: الکترونیک / Electronics
سال انتشار: ۱۳۸۶
کد COI مقاله: ICEE15_389
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۴۵۱.۷۶ کلیوبایت (فایل این مقاله در ۵ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید. در پایگاه سیویلیکا عموما مقالات زیر ۵ صفحه فولتکست محسوب نمی شوند و برای خرید اینترنتی عرضه نمی شوند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۵ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳۰,۰۰۰ ریال

آدرس ایمیل خود را در زیر وارد نموده و کلید خرید با پرداخت اینترنتی را بزنید. آدرس ایمیل:

رفتن به مرحله بعد:

در صورت بروز هر گونه مشکل در روند خرید اینترنتی، بخش پشتیبانی کاربران آماده پاسخگویی به مشکلات و سوالات شما می باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله

  رحیم فائز - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
عقیل باجلان - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران، مرکز

چکیده مقاله:

دراین مقاله یک ترانزیستور HEMT دو کاناله بر اساسGaN با استفاده از مدل موازنه انرژی شبیه سازی شده است. هدف از این کار بررسی تونل زدن حامل ها بین دو کانال ها بین دو کانال و اثر آن بر مشخصه ترانزیستور بوده است و نمودارهای ولتاژ جریان در حالت کوانتومی و همچنین درحالت بدون اثرات کوانتومی مقایسه شده اند. نمونه با اثر کوانتومی تغییرات شدیدی پتانسیل را نرم تر می کند و اثرات تونل زنی را وارد می کند. همچنین این ترانزیستور با نمونه مشابه ولی تک کاناله هم از نظر نمودار جریان ولتاژ و هدیات انتقالی مقایسه شده است. نشان داده شده که اضافه کردن کانال باعث بهبودی منحنی هدایت عبوری در جریان های زیاد می شود.

کلیدواژه‌ها:

(HEMT) ، ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا ، شبیه سازی ، ترانزیستور دو کاناله

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_389.html
کد COI مقاله: ICEE15_389

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
فائز, رحیم و عقیل باجلان، ۱۳۸۶، شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله، پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران، تهران، مرکز تحقیقات مخابرات ایران، https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_389.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (فائز, رحیم و عقیل باجلان، ۱۳۸۶)
برای بار دوم به بعد: (فائز و باجلان، ۱۳۸۶)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. P. Smith, S. ...
  • T. Palacios, A. Chakraborty, S. Heikman, S. Keller, S. P. ...
  • M. Higashiwaki, T. Matsui, and T. Mimura. ، 0AlGaN/GaN MI ...
  • T. Palacios, A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller, ...
  • T. Inoue, Y. Ando, K. Kasahara, Y. Okamoto, T. Nakayama, ...
  • T. Palacios, S. Rajan, A. Chakraborty, S. Hleikman, S. Keller, ...
  • T. Murata, M. Hikita, Y. Hirose, Y. Uemoto, K. Inoue, ...
  • R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. ...
  • A. Chini, D. Buttari, R. Coffie, L. Shen, S. Heikman, ...
  • M. Nawaz and G. U. Jensen, *Simple analytical charge control ...
  • Lundstrom M., Fundamentals of Carrier Transport, Modular Series _ solid ...
  • Tang T, Ieong M., "Discritization of Flux Densities in Device ...
  • Hosseini S.E. and Faez R, "Quantum Hydrodynamic Equations with Quantum ...
  • Hosseini S.E. and Faez R., "Novel Quantum Hydrodynamic Equations for ...
  • O Ambacher, O.; Majewski, .:; C Miskys, C; A Link, ...
  • Yuh-Renn Wu, Madhusudan Singh, and Jaspri Singh, "Sources of Trans ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز:
    تعداد مقالات: ۱۸۲۹۳
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.