CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۶ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۶۲۶ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: الکترونیک / Electronics
سال انتشار: ۱۳۸۶
کد COI مقاله: ICEE15_390
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۶۰۸.۵۸ کلیوبایت (فایل این مقاله در ۶ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید. در پایگاه سیویلیکا عموما مقالات زیر ۵ صفحه فولتکست محسوب نمی شوند و برای خرید اینترنتی عرضه نمی شوند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۶ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳۰,۰۰۰ ریال

آدرس ایمیل خود را در زیر وارد نموده و کلید خرید با پرداخت اینترنتی را بزنید. آدرس ایمیل:

رفتن به مرحله بعد:

در صورت بروز هر گونه مشکل در روند خرید اینترنتی، بخش پشتیبانی کاربران آماده پاسخگویی به مشکلات و سوالات شما می باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس

  علیرضا صالحی (شناسه پژوهشگر - Researcher ID: ۱۹۲۳)
دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
  مهدی محمدزاده لاجوردی - دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
  محرم قلی زاده نیک پی - دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده مقاله:

در این مقاله یکی از روشهای تغییر پاسخ حسگرهای گاز نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است. این طرح جدید حسگر شیمیایی، تلفیقی از مکانیسم های مورد استفاده در حسگرهای گاز مقاومتی اکسید – فلز و حسگرهای گاز MOSFET می باشد. در ای تحقیق برای ساخت حسگر گاز MOS (فلز – اکسید – نیمه هادی) از کوارتز بعنوان پایه و از ITO (دی اکسید قلع با آلایش ایندیوم) بعنوان لایه حساس به گاز و از فلز کروم بعنوان گیت استفاده شده است. در این روش میان الکتریکی با القا بار در کانال ، غلظت حامل های بار را تغییر داده و موجب افزایش یا کاهش جذب گاز در الیه حساس می شود. تغییرات پاسخ برای حسگر IGFET-TFT (فت باگیت ایرزوله شده – لایه نازک) با لایه حساس ITO بوسیله تغییر ولتاژهای گیت ها در حضور گاز منوکسید کربن انجام گرفت . در این تحقیق نتیجه گیری شده که با افزایش یک پایه تحت عنوان گیت به حسگر گاز دو پایه ای میتوان میزان حسگر به گاز را بر اساس ولتاژ اعمالی به گیت کنترل کرد.

کلیدواژه‌ها:

حسگر گاز ، کنترل سطح فرمی ، ITO ,IGFET_TFT MOS

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_390.html
کد COI مقاله: ICEE15_390

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
صالحی, علیرضا؛ مهدی محمدزاده لاجوردی و محرم قلی زاده نیک پی، ۱۳۸۶، طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس، پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران، تهران، مرکز تحقیقات مخابرات ایران، https://www.civilica.com/Paper-ICEE15-ICEE15_390.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (صالحی, علیرضا؛ مهدی محمدزاده لاجوردی و محرم قلی زاده نیک پی، ۱۳۸۶)
برای بار دوم به بعد: (صالحی؛ محمدزاده لاجوردی و قلی زاده نیک پی، ۱۳۸۶)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Peter Hauptman, ،Ssensors Principles and A pplications?, Prentice Hall, 1993 ...
  • A. Kodadadi, s. _ Mohajerzadeh, A. M. Miri and Y. ...
  • Duk-Dong Lee, Dae-Sik Lee _ «Environmenta _ Gas Sensor^ IEEE ...
  • J.W.Gardner, M.Cole, F.Udrea CMOS _ Sensors and Smart Devices* Sensors, ...
  • D Briand, H Sundgren, B Van der Scloot, "Thermally lsolated ...
  • D Briand, H Sundgren, B _ der Schoot, *Thermally Isolated ...
  • S. M. Sze, «physics of semiconductor device', _ ed. Wiley, ...
  • J. Wollenstein, M.Jagle, H.Bottuner, ' A gas sensitive tin dioxide ...
  • R. E. Cavicchi, J. S. Suehle, K. G Kreider, M. ...
  • H Geistlinger, 0Electron theory _ gas _ ?, Sensor and ...
  • A.Salehi, M. Ghol izade, ;'Gas sensing properties of indum-doped SrO ...
  • " شیمی فیزیک" گ. م بارو، ترجمه: قاسم خدادادی، غفار ...
  • " شیمی فیزیک" دکتر جمشید مفیدی، استاد دانئگاه تهران، ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز:
    تعداد مقالات: ۱۲۴۱۱
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.