جریان نشتی در ترانزیستورهای نانو تیوب کربن با سد شاتکی

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,748

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE16_287

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386

چکیده مقاله:

در این مقاله جریان نشتی حالت خاموش ترانزیستورهای نانوتیپ کربن با سطح تماس های سورس و درین سد شاتکی میان گافی مورد بررسی و شبیه سازی قرار گرفته است. جریان نشتی حالت خاموش به دو قسمت تفکیک می شود، یکی گسیل گرمایی حاملها از روی سد شاتکی و دیگری تونل زنی حامل ها از میان حالتهای ناپایدار گاف نواری است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که هنگامی که گسیل گرمایی حامل ها قسمت عمده جریان نشتی را تشکیل می دهد با تغییر ابعاد ترانزیستور میزان جریان نشتی تقریباً ثابت می ماند اما هنگامی که تونل زنی از گاف نواری قسمت عمده جریان نشتی را تشکیل می دهد، با کاهش ابعاد قطعه جریان نشتی به صورت نمایی افزایش می یابد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

زهرا عارفی نیا

دانشگاه سمنان

علی اصغر اروجی

دانشگاه سمنان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • D. J. Frank, R. H. Dennard, E. Nowak, P. M. ...
  • A. A. Orouji and Z. Arefinia, "The Impact of High-k ...
  • J. Guo, M. Lundstrom, and S. Datta, ، ،Performance projections ...
  • T. Xia, L. F. Register, and S. K. Banerjee, *Quantum ...
  • T. Xia, L. F. Register, and S. K. Banerjee, ، ...
  • R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, and ...
  • S. J. Wind, J. Appenzeller, R. Martel, V. Derycke, and ...
  • A. Javey, H. Kim, B. Brink, Q. Wang, A. Ural, ...
  • R. H. Baughman, A. A. Zakhidov, and W. A. de ...
  • . Heinze, M. Radosavljevic, J. Tersoff, and P. Avoursi, «Unexpected ...
  • M. Radosavljevic, S. Heinze, J. Tersoff, and P. Avouris, ، ...
  • S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge, U.K.: Cambridge ...
  • J. Guo, M. Lundstrom, and S. Datta, ، ،Anumerical study ...
  • نمایش کامل مراجع