ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

طراحی و بهینه سازی توان در نواسان سازهای اتصال ضربدری سلف - خازن در تکنولوژی CMOS

محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,612

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/47797

شناسه ملی سند علمی:

ICEE16_299

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386

چکیده مقاله:

در این مقاله در ابتدا مقایسه ای بین دو نوسان ساز بایاس شده با ولتاژ و بایاس شده با جریان از نظر توان مصرفی صورت می گیرد و سپس به بهینه سازی توان مصرفی نوسان ساز بایاس شده با جریان با استفاده از پارامترهای مدار پرداخته می شود. در ادامه یک مدار معادل برای این نوسان ساز ارایه می شود که درک مناسبی از عملکرد مدار می دهد و مناسب برای بسته های نرم افزاری به منظور طراحی نوسان ساز در دامنه نوسان مشخص و کمترین توان مصرفی می باشد.

کلیدواژه ها:

اتصال ضربدری ، توان بهینه ، شبکه تشدید سلف خازن ، نوسان ساز بایاس شده با جریان

نویسندگان

محسن زردادی

موسسه آموزش عالی خراسان، مشهد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A. Hajimiri, T. H. Lee, ، A General Theory of ...
  • Sebastian K. Magierowski, and S. Zukotynski, 44CMOS LC-Oscillator Phase-Noise Analysis ...
  • F. Herzel, M. Pierschel, P. Weger, and M. Tiebout، Phase ...
  • A. Hajimiri and T. H. Lee, «Design Issues in CMOS ...
  • M. Zardadi, S.H. Keshmiri, M.R. Nabavi, _ Method for the ...
  • R. Dehghani, S.M. Atarodi, «Deigned of optimized 2.5 GHz CMOS ...
  • J. Craninckx, M. S. J. Steyaert, 4"A 1.8 GHz CMOS ...
  • B. Razavi, «Design of Analog CMOS Integrated Circuits, ^ McGraw-Hill, ...
  • E. Hegazi, J. Rael, A. Abidi، ،The designer's guide to ...
    • نمایش کامل مراجع