ارائه شبیه ساز مدارات متشکل از ترانزیستورهای تک الکترونی چند مقداری در سطح گیت

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,042

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE16_322

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386

چکیده مقاله:

ترانزیستورهای تک الکنرونی بر اساس انتقال یک به یک الکترون ها عمل می کنند و در عین کوچک بودن، توان مصرفی بسیار پایینی دارند؛ از این رو اینگونه مدارات مورد توجه جدی محققین قرار گرفته است. ارائه شبیه سازی های مختلف برای مدارهای مبتنی بر ترانزیستورهای تک الکترونی به طراحان این امکان را می دهد تا بتوانند مدارات پیشنهادی خود را بیازمایند. در این مقاله برای اولین بار، جهت کاهش پیچیدگی های طراحی مدارات چند مقداری مبتنی بر ترانزیستورهای تک الکترونی، یک برنامه شبیه ساز در سطح گیت برای شبیه سازی این مدارات ارائه شده است. در این شبیه ساز توابع پایه منطق چند مقداری توسط زبان برنامه نویسی ++C پیاده سازی شده است. با استفاده از این شبیه ساز طراح می تواند بدون آنکه درگیر پیچیدگی های طراحی مدار شود، ایده های جدید و توابع بزرگ را شبیه سازی کند و از درستی کارکرد آن مطمئن شود. با استفاده از این برنامه شبیه ساز، یک جمع کننده دو بیتی در منطق سه تایی شبیه سازی شده است و درستی عملکرد مداری آن تایید شده است.

نویسندگان

داوود بهره پور

عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد

محمد جواد شریفی

استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :