بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,011
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_062
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی MOSFETبرحسب دما، میدان مؤثر عمودی و طول کانال ارائه شده است.بدین منظور ترانزیستورهایی در چهار سایز مختلف با طول کانالهای متفاوت ساخته شد و موبیلیتی آنها در دمای اتاق و نیتروژن مایع و نیزچندین دمای میانی اندازه گیری شد، از روی نتایج این اندازه گیریها میزان هریک از مکانیزمهای پراکندگی در هر دما و برای هر طول کانال استخراج شد و با تطبیق این نتایج با منحنیهای چند جملهای نهایتاً وابستگی این مکانیزمها به طول کانال بدست آمد. بر اساس این نتایج مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ماسفت ارائه شد که تا حدود زیادی پارامترهای ساختاری ماسفت از جمله چگالی ناخالصی بدنه و ضخامت اکسید گیت در این مدل لحاظ شدهاست
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدمعین سیدفخاری
دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه ادوات و مدارهای اب
سیده سارا قریشی زاده
integrated system laboratory (LSI), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Laussanne, Switzerland
علی مدی
دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه طراحی مدارهای مجت
مهدی فردمنش
دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه ادوات و مدارهای اب
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :