A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,267
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_162
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
A novel method to improve linearity of PD SOI MOSFET circuits is presented. There is a transition in the output-conductance of body-contacted PD SOI device associated to the finite body resistance (RB). The transition degrades the device linearity specifications, particularly, HD3 and IP3. A relation for the body resistance is extracted toeliminate the transition. Using device simulation, the transitionfree curve for the operation of a 45 nm PD SOI MOSFET was extracted. A 2.4 GHz low noise amplifier was designed to operate in the transition-free region. Mixed circuit device simulation of LNA showed at least 7 dB enhancement of HD3 and 4 dB improvement of IP3. Simulation results verified the high frequency advantage of transition-free design
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Arash Daghighi
Assistant Professor, Shahrekord University, Shahrekord, Iran
Neda Pourdavoud
Young Researchers Club, Najafabad Islamic Azad University, Isfahan, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :