روش جدید افزایش خطسانی مدارTransconductor با محدوده تنظیم وسیع

دراین مقاله یک بلوک transconductor خطی و قابل تنظیم جدید معرفی شده است درطرح پیشنهادی با ایجاد ولتاژ بایاس مناسب توسط یک مدارجانبی خطسانی بلوک Gm ارایه شده بخوبی بهبود پیدا کرده است شبیه سازی های این مدار درتکنولوژی μm0/18 و ولتاژ تغذیه 1/8V انجام شده است مقدار بهره جریان به ولتاژ این جریان از 100 تا 714μA/V قابلتنظیم است شبیه سازی های صورت گرفته نشان میدهد که مقدار THD ولتاژ خروجی درتمامی م حدوده ی تنظیم و تمامی گوشه ها و شرایط دمایی کمتر از 60-dB است لازم به ذکر است که این نتایج بازای سوئینگ ورودی خروجی 1Vp-p و درفرکانس 10MHz بدست آمده اند توان متوسط بلوک ارایه شده درحدود 1mW است.

کلیدواژه ها:

بلوک Gm ، خطسانی ، ولتاژ وجه مشترک ، هارمونیکمرتبه سوم ، هدایت انتقالی