بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 745
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_335
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
مادراین مقاله با شبیه سازی و ساخت سه نوع فتودیود مادون قرمز InSb نشان میدهیم که باانتخاب تراکم ناخالصی 2×10 15 Cm-3 برای نوع n- و 1×10 18cm-3 برای نوع -p حساسه بیشینه مقاومت خود را نسبت به تراکم های دیگر دارد دراین شرایط بیشینه مقاومت از بایاس صفر تاحدود 300-mV وجود دارد که بازه مجاز بایاس آشکارساز درشرایط بهینه را نشان میدهد دراین حالت حساسه ای با حاصلضرب مقاومت درمساحت 1/4×10 5QCM2 دربایاس 50-mV ساخته شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :