بررسی اثرتابع کارگیت سه فلزی برعملکرد FinFET با کانال احاطه شده توسط گیت

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,291

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE20_017

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391

چکیده مقاله:

دراین مقاله اثرتابع کارگیت سه فلزی برروی عملکرد ترانزیستور FinFET با کانال احاطه شده توسط گیت بررسی شده است این ساختار توسط ATLAS Silvaco شبیه سازی شده و نتایج آن نشان میدهند که با انتخاب فلز با تابع کار مناسب می توان آثار کانال کوتاه را کاهش داد و همچنین به دلیل افزایش کنترل گیت برروی کانال بارهای ناشی از درین درکانال کاهش یافته درنتیجه DIBL کاهش می یابد و عملکرد زیرآستانه نزدیک به ایده آل را نشان میده DIBL برابر با1/4mv/v و شیب زیراستانه کمتر از 65mv/dec گواهی برادعای ما می باشند.

نویسندگان

حمیده ذوالفقاری

دانشگاه تربیت معلم سبزوار

سیدابراهیم حسینی

دانشگاه فردوسی مشهد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Hisamoto et.al. "FinFET - a Self-Aligned Double-Gate MOSFET Scalable to ...
  • X. Huang, W.-C. Lee, C. Kuo, D. Hisamoto, L. Chang, ...
  • Prateek Mishra, Anish Muttreja, and Niraj K. Jha, " FinFET ...
  • J. Kedzierski, E. Nowak, T. Kanarsky, Y. Zhang, D. Boyd, ...
  • D. Ha, H. Takeuchi, Y .-K. Choi, T.-J. King, W. ...
  • نمایش کامل مراجع