Investigation of optimum junction depth of InSb Infrared Photodiode
محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,100
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE20_502
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
Junction depth plays an important role in determining reverse saturation current (Is) and the quantum efficiency η of a detector. In order to reduce the Is and increase the η, thethickness of p-type region is made as thin as possible. To evaluate the effect of junction depth on quantum efficiency andreverse saturation current we calculated the efficiency and fabricate InSb PV detector, and the effect of junction depth on performance of this type of detector acquired
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M Asad
Nanotechnology Research Center, Shiraz University
M Ghorbanzadeh
University of Tehran, Electrical Department, Device and Simulation Lab, MEMS and NEMS Lab