Threshold characteristics analysis of InP-based PhC VCSEL with buried tunnel junction
محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 882
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_618
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
چکیده مقاله:
The comprehensive optical-electrical-gain-thermal self-consistent model of the 1.55 μm AlGaInAs Photonic Crystal vertical cavity surface emitting diode lasers (PhC VCSELs) withburied tunnel junction (BTJ) has been applied to optimize its threshold characteristics. It shows that, for 5 μm devices, theroom temperature (RT) threshold current equal to only 0.59 mA and maximum operating temperature equal to as much as 380 K. Results suggest that, the 5 μm AlGaInAs PhC VCSELs seem to be the most optimal ones for light sources in high performance optical communication systems.
نویسندگان
Saeid Marjani
Ferdowsi University of Mashhad
Rahim Faez
Sharif University of Technology