اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی

با توجه به محدودیتهای که تکنولوژی مدارات مجتمع سیلیکونی با کاهش مقیاس روبرو است با کشف ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی CNTFET در سالهای اخیر این تکنولوژی به عنوان جایگزینی مناسب برای ترانزیستورهای سیلیکونی مورد بررسی قرار گرفته است در این مقاله به طراحی اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ VCO با استفاده از این تکنولوژی پرداخته شده است نوع اسیلاتور مطرح شده اسیلاتور حلقوی تکر سر سه مرحله ای می باشد شبیه سازی مدار با استفاده از نرم افزار Hspice با تکنولوژی 32 nm انجام گرفته است نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در مقایسه با CMOS با طول کانال مشابه فرکانس موج خروجی 16 برابر افزایش و توان مصرفی 3.36 برابر کاهش یافته است

کلیدواژه ها:

اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ ، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی ، فرکانس خروجی ، توان مصرفی