CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۸ | تعداد نمایش خلاصه: ۹۵ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۴
کد COI مقاله: ICEECS02_053
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۵۴۷.۸۶ کلیوبایت (فایل این مقاله در ۸ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید. در پایگاه سیویلیکا عموما مقالات زیر ۵ صفحه فولتکست محسوب نمی شوند و برای خرید اینترنتی عرضه نمی شوند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۸ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳۰,۰۰۰ ریال

آدرس ایمیل خود را در زیر وارد نموده و کلید خرید با پرداخت اینترنتی را بزنید. آدرس ایمیل:

رفتن به مرحله بعد:

در صورت بروز هر گونه مشکل در روند خرید اینترنتی، بخش پشتیبانی کاربران آماده پاسخگویی به مشکلات و سوالات شما می باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر

  نازنین مختاری - دانشکده مهندسی برق واحد نجف آباد دانشگاه آزاد اسلامی نجف آباد ایران
  آرش دقیقی - دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد ایران
  مهدی دولتشاهی - دانشکده مهندسی برق واحد نجف آباد دانشگاه آزاد اسلامی نجف آباد ایران

چکیده مقاله:

دراین مقاله به بررسی تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستور های ماسفت سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده می پردازیم تاثیر میزان مقاومت بدنه بر جریان حفره های ناشی از پدیده ی یونیزاسیون برخوردی و عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به عنوان عامل شکست نشان داده می شود در این راستا با مدل کردن مقاومت بدنه و تغییر آن و انجام شبیه سازی تاثیر تغییرات مقاومت بدنه را بر جریان حفره های تولیدی ناشی از پدیده یونیزاسیون برخوردی و مولفه های جریانی ترانزسیتور دو قطبی پارازیتی بررسی می کنیم نشان می دهیم که با کاهش مقاومت بدنه می توان فیدبک مثبتی که توسط این ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به وجود می آید را تضعیف کرد و مکانیسم شکست را تعدیل کرد و ولتاژ شکست را بهبود بخشید نتایج شبیه سازی نشان دهنه ی بهبود 10 درصدی ولتاژ شکست ترانزیستور با مقامت بدنه 50kΩ نسبت به همان ترانزیستور با مقاومت بدنه 100kΩ می باشد

کلیدواژه‌ها:

مقاومت بدنه،ولتاژ شکست،ماسفت سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده،یونیزاسیون برخوردی

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEECS02-ICEECS02_053.html
کد COI مقاله: ICEECS02_053

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
مختاری, نازنین؛ آرش دقیقی و مهدی دولتشاهی، ۱۳۹۴، تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر، دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر، شیراز، پردیس بین الملل توسعه ایده هزاره، https://www.civilica.com/Paper-ICEECS02-ICEECS02_053.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (مختاری, نازنین؛ آرش دقیقی و مهدی دولتشاهی، ۱۳۹۴)
برای بار دوم به بعد: (مختاری؛ دقیقی و دولتشاهی، ۱۳۹۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • JP. Colinge; S i li con-on -Insulator Technology Materials to ...
  • F. L. Duan, S. P. Sinha, D. E. Ioannou, and ...
  • K. Noda, T. Tatsumi, and T. Uchida et al., _ ...
  • M. Jagadesh Kumar, Senior Member, IEEE, and Vikram Verma, " ...
  • Vikram Verma and M. Jagadesh Kumar "Study of the Extended ...
  • Jin-Hyeok Choi, Young-June Park, Member, ZEEE, and Hong- Sh i ...
  • Mohammad K. Anvarifard, Student, and Ali Asghar Orouji, Improvement of ...
  • TSUPREM4, Process Simulator. Palo Alto, CA: Technol. Model.Assoc. ...
  • Dongwook Suh and Jerry G. Fossum, " The Effect of ...
  • S. Schwantes, J.Firthaler, B. Schauwecker, F.Dietz, M. Graf, and V.Dudek, ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز:
    تعداد مقالات: ۸۴۲۳
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.