طراحی سوئچ های RF MEMS با خم مارپیچی و غشاء طلا به منظور کاهش ولتاژ تحریک

در این مقاله یک ساختار جدید برای سوئیچ های فرکانس رادیویی میکروالکترومکانیک جهت کاهش ولتاژ تحریک معرفی شده است. از آنجا که اصلی ترین مشکل در سوئیچ های RF MEMS ولتاژ تحریک بالا است نشان خواهیم داد که با طراحی سوئیچ ثابت- ثابت یا پل معلق خازنی با غشاء خم مارپیچی به کاهش ثابت فنری و در نتیجه ولتاژ تحریک کمتری دست خواهیم یافت. در ادامه از غشاء طلا نسبت به مس استفاده کرده و مجدداً به ولتاژ تحریک کاهش یافته، حدود 13% دست یافتیم که این نتایج با مقالات معتبر مورد مقایسه قرار گرفته و همچنین پیشنهادات فوق در فرکانس 1-40 گیگاهرتز با نرم افزار المان محدود (FEA) Intellisutie شبیه سازی شده است.

کلیدواژه ها:

سوئیچ های فرکانس رادیویی میکروالکترومکانیک ( RF MEMS ) ، ولتاژ تحریک ، ساختار خم مارپیچی ، غشاء