بررسی اثرات ناشی از تراکم حامل های موجود در نیمه هادی سازنده آنتن هادی نور و نیز حداکثر توان لیزر تابشی بر پالس تراهرتزی تولید شده توسط آنتن های هادی نور

امواج تراهرتزی می توانند توسط کلید هادی نور نیمه هادی تولید شوند، این نوع از کلیدها توسط امواج لیزری، که دارای تناوب فمتو ثانیه هستند. تحریک می شوند. مشخصات امواج تابشی آنتن هادی نور (PCA) گالیوم آرسناید، در حالی مورد مطالعه قرار می گیرد که بلور گالیوم آرسناید، در دماهای پائین، در نقص های باردار شبکه، وجود داشته باشد و طبق آن، دامنه میدان تراهرتزی تابشی، تحت تأثیر چگونگی توزیع میدان بین دو الکترود قرار می گیرد. سرانجام به این نتیجه دست می یابیم که هر گونه افزایش در میزان تراکم حامل ها، اثر افزایشی در توان تابشی آنتن های هادی نور داشته و نیز می توان نتایج حاصله را به صورت توابعی از توان لیزر تابشی و نیز تراکم حامل مورد بررسی قرار داد.

کلیدواژه ها:

آنتن هادی نور (PCA) ، پالس لیزر با تناوب فمتو ثانیه ، تشعشعات تراهرتزی ، گالیوم آرسناید رشد یافته در دماهای پایین (LT)