سیستم ذخیره سازی چند متغیره با استفاده از ممریستور

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 698

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE04_278

تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391

چکیده مقاله:

در طول سلهای زیادی تنها عناصر فعال (پسیو) که شامل مقاومت و سلف و خازن بودند شناخته شده بود. در سال 1971 لئون چائو با استفاده از استدلال ثابت کرد که عنصر غیر فعال دیگری که نام آن ممریستور است وجود دارد. پس از 37 سال پژوهشگران شرکت HP قادر به ساخت اولین ممریستور شدند و جامعه الکترونیک را شگفت زده کردند. چاو ثابت کرد که ویژگیهای ممریستور را با استفاده از مقاومت و سلف و خازن نمی توان شبیه سازی کرد و از این رو یک عنصر بنیادی است. بسیاری از مدارهای جدید با استفاده از ممریستور می توانند ساخته شوند. ممریستور می تواند سطوح مقاومتی داشته باشد، بنابراین می توان از تعدادی مقادیر گسسته به عنوان سطح منطقی متفاوت به عنوان سیستمهای چند متغیره استفاده کرد. در این مقاله روشی برای دستیابی به سطوح مختلف نشان داده شده است. با استفاده از این روش می توان آرایه ای از ممریستور را برای ساخت سیستم ذخیره سازی داده های چند متغیره استفاده کرد.

کلیدواژه ها:

ممریستور ، منطق چند متغیره ، انرژی کم ، ذخیره سازی داده ها

نویسندگان

معصومه احمدیان

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

علیرضا حسنی

کارشناس برق قدرت دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Memristor : Propertes of Physics. 30(4), 661, 2009 SPICEه [4] ...
  • Chua, L.O. "Memristor - The Missing Circuit Element" _ IEEE ...
  • Strukov, D.B, snider, G.S, Stewart, D.R, Williams, R.S. "The Missing ...
  • _ Iranian _ _ _ _ (IEEEE2012) _ ...
  • نمایش کامل مراجع