شبیه سازی موج یونیزاسیون برخوردی سریع در افزاره نیمه هادی سیلیکون
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 989
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_311
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
طراحی معمول سوئیچ های نیمه هادی توان بالای نانو ثانیه ای، بر اساس تولید موج یونیزاسیون برخوردی سریع (FIIF) در ساختار های 3 لایه و 4 لایه (+)P(+) n n و (+)P(+) P n n با اعمال پالس ولتاژ بالا، و زمان صعود نانو ثانیه ای صورت می گیرد و سریعترین روش تولید پلاسمای الکترون و حفره و پالس جریان بسیار بال در سوئیچ های نیمه هادی می باشد. با اعمال پالس ولتاژ سریع، که توسط سوئیچ های نیمه هادی باز شونده تولید می شود، سوئیچ نیمه هادی (FIIF) در مد ت چند نانو ثانیه، از حالت هدایت ضعیف به هدایت بسیار بالا می رود. در این مقاله، به کمک نرم افزار شبیه سازی سیلواکو به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار داینیستور (+)P(+) P n n بر اثر مکانیزم موج یونیزاسیون بر خوردی سریع می پردازیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
تارا افرا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران
ماندانا دانش
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران
مرتضی فتحی پور
دانشگاه تهران، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :