CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

A Stable and Low Power Bandgap design Employing Lubister Devices in FinFET Technology

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۶ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۸۸ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: مهندسی برق - الکترونیک
سال انتشار: ۱۳۹۲
کد COI مقاله: ICEEE05_035
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۵۱۲.۹ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۶ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۶ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله A Stable and Low Power Bandgap design Employing Lubister Devices in FinFET Technology

  Mohsen Jafari - School of Electrical and Computer, Collage of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran,
    Mohsen Imani - School of Electrical and Computer, Collage of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran
  Morteza Fathipour - Associated professor of electronic engineering, School of Electrical and Computer, Collage of Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran,

چکیده مقاله:

this paper describes the design of a bandgap reference, implemented in 32 nm FinFET technology. The paper introduced new method for increasing stability of output voltage of bandgap circuit. The conventional BJT pair in the BGR circuit is replaced by lubister diodes with a nob to changethe voltage value over them in the presence of the same current. To increase the speed of the start-up, stable and speedy employing of FinFET’s back gate. This circuit generates a reference voltage of 300mV and has a variation about 0.041% versus temperature in TT corner. High gain OTA utilized in thefeedback loop was designed by innovative SOI FinFET devices. FinFET OTA used in this work is very low power and highspeed compared to conventional CMOS designs. It was testedwith supply voltages between 0.7 and 0.9 volt - C. The variation of output voltage versus VDDvariation is lower than 0.01% in TT corner. This circuit works in a current feedback mode, and it generates its own reference current, resulting in a stable operation. For resistor and diode connected transistor the technology elements were used instead of ideal components. The technology in use is 32 nm PTM

کلیدواژه‌ها:

Bandgap reference, voltage, curent feedback, FinFET, start up circuit, VDD variation

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEEE05-ICEEE05_035.html
کد COI مقاله: ICEEE05_035

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Jafari, Mohsen; Mohsen Imani & Morteza Fathipour, ۱۳۹۲, A Stable and Low Power Bandgap design Employing Lubister Devices in FinFET Technology, پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران, گناباد, دانشگاه آزاد اسلامی واحد گناباد, https://www.civilica.com/Paper-ICEEE05-ICEEE05_035.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (Jafari, Mohsen; Mohsen Imani & Morteza Fathipour, ۱۳۹۲)
برای بار دوم به بعد: (Jafari; Imani & Fathipour, ۱۳۹۲)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Lahiri, A. and N. Agarwal, Design of sub-1-V CMOS bandgap ...
  • International Conference on. 2012. IEEE. ...
  • Basyurt, P.B. and D.Y. Aksin, Untrimmed 6.2 ppm/ C bulk-isolated ...
  • Papers, 2009. ISSCC 2009. IEEE International. 2009. IEEE. ...
  • Cao, Y., et al., A 4.5 MGy TD-Tolerant CMOS Bandgap ...
  • Jiang, Y. and E.K.F. Lee. A low voltage low 1/f ...
  • Tao, T., et al. A 1.8 V low noise threshold ...
  • In ternational. 2002. IEEE. ...
  • Knoblinger, G., et al. Design and evaluation of basic analog ...
  • Crupi, G., et al., A comprehensive review on microwave FinFET ...
  • Underlapped FinFET, and Temperature Effect. Circuits and Systems _ _ ...
  • Gupta, V. and G. Rincon-Mora, Low-ou tput-impedance 0.6 um CMOS ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: ۵۱۴۵۳
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.