فناوری نوین گیت با ولتاژ ثابت برای کاهش جریان نشتی درین القاء شده از گیت در افزاره MOSFET دو گیتی در ابعاد نانو

جریان نشتی درین القا شده ازگیت (GIDL) درترانزیستورهای اثرمیدانی دوگیتی (DG -MOSFET) یکی ازمولفه های اصلی جریان نشتی محسوب می شود. جریان GIDL نقش مهمی را درزمان نگهداری اطلاعات درسلولهای DRAM بازی می کند و به عنوان یکی ازعوامل محدود کننده مقیاس پذیری افزاره های DG -MOSFET مطرح می شود. دراین مقاله برای اولین بار استفاده ازدو گیت درطول کانال برای کاهش جریان GIDL و به دنبال آن جریان حالت خاموش، درافزاره DG -MOSFET درابعادنانو پیشنهاد شده است. با بکارگیری گیت با ولتاژ ثابت میتوان خمیدگی نوارهای انرژی را درمحل وقوع GIDL کاهش داد درنتیجه نرخ تولید تونل زنی نواربه نوار (BTBT) کاهش یافته و جریان GIDL کم می شود. استفاده ازتکنیک گیت باولتاژ ثابت جریان حالت خاموش افزاره را 105 برابر کاهش می دهد و باعث افزایش قابل توجه در Ion/Ioff می شود.