بررسی تاثیرسه روش کاربردی Bulk Driven ، Self Cascode ی Latch Structure برمدارSuper Class AB OTA جهت کاربردهای Low Voltage وLow Power

دراین مقاله سه روش کاربردی Bulk Driven ، Self Cascode Latch Structure برروی یکی ازتقویت کننده های کلاس AB ازنوع هدایت انتقالی Super Class AB OTA) بصورت مجزا و ترکیبی درتکنولوژی CMOS 0.18μm اعمال گردید نتایج حاصل ازشبیه سازی نشان میدهد ولتاژ کاری می تواند تا ±0/5 V کاهش داده شود بهره ولتاژ درمدارپیشنهادی اول 49/6dB گردید درمدارپیشنهادی دوم کاهش توان مصرفی بیش از50درصد افزایش بهره حلقه بازDC تا2/5 برابر نسبت به روش اول ورشدCMRR تا dB 68/8 نشان میدهد با اعمال مدارپیشنهادی سوم بهره ولتاژ 74.5 dB و پهنای باند 38MHz بدست امد شبیه سازی ترکیب روشهای ارایه شده افزایش بهره تا dB 151/25 و کاهش توان تا 25μW را دربرداشت همچنین ضریب CMRR درترکیب هرسه روش 103/7dB بدست آمد.

کلیدواژه ها:

تکنولوژی CMOS 0.18μm ، FVF ، LCMFB و Super Class AB OTA ، Bulk Driven ، Self Cascode