ارائه روش کم مصرف (g(m)over I(D در مبدل A/D دلتاسیگما با استفاده از تکنولوژی 180nm
محل انتشار: ششمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 652
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE06_137
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394
چکیده مقاله:
کاهش مصرف توان در کاربردهای تجاری قابل حمل نظیر موبایل و ادوات چند رسانه ای سیار رابطه مستقیم با افزایش عمر باطری و کوچک شدن اندازه باتری دارد. در روش طراحی متداول ترانزیستور معمولاً در ناحیه Strong Inversion بایاس می گردد و از ولتاژ اضافه تحریک به عنوان پارامتر کلیدی جهت طراحی استفاده می شود. در این مقاله به طراحی بلوک های مداری با تأکید بر روش (g(m)over I(D که دو هدف را برآورده می کرد پرداختیم. یکی کاهش مصرف توان در ناحیه های مختلف کاری افزاره و دیگری سادگی طراحی. با این حال این مدولاتور با توجه به تغییرات شدید در مدت زمان کوتاه نیاز به تقویت کننده ای پرسرعت دارد که دارای سرعتی حداقل تا 4 الی 5 برابر فرکانس سیگنال نمونه برداری اش باشد. در این راستا یک مدولاترو دلتاسیگمای زمان گسسته با توپولوژی CIFB مرتبه 2 در کاربردهای مخابراتی GSM با پهنای باندی معادل 200KHz طراحی و پیاده سازی می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علیرضا زنده پی سرتلی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
علیرضا ملاح زاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
محمد آسیابی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد دامغان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :