ارائه یک الگوریتم بهبود یافته برای محاسبه المان های پارازیتی ترانزیستور GaN HEMT

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 661

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE06_302

تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک الگوریتم بهبود یافته برای محاسبه المان های پارازیتی ترانزیستور GaN HEMT ارائه شده است. برای طراحی تقویت کننده های قدرت مایکروویو با استفاده از ترانزیستور GaN HEMT، نیاز به مدل سیگنال بزرگ مناسبی از ترانزیستور است که به خوبی رفتار آن را بیان کند. اولین قدم در مدل سازی سیگنال بزرگ، مدل سازی سیگنال کوچک ترانزیستور است. این مدل را می توان به دو قسمت پارازیتی و غیر پارازیتی تقسیم کرد. برای محاسبه المان های غیرپارازیتی، هم باید ابتدا المان های پارازیتی را مشخص کرد. در این مقاله با استفاده از یک الگوریتم بهبود یافته، المان های پارازیتی یک ترانزیستور GaN HEMT به طور مستقیم (تحلیلی) و بدون نیاز به روش بهینه سازی، در فرکانس های پایین، محاسبه شده اند.

نویسندگان

مجید لرستانی

دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده برق و کامپیوتر

رضا صفیان

دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده برق و کامپیوتر

علی میر

دانشگاه لرستان، دانشکده فنی و مهندسی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • for D etermination of MESFET and HEMT Parasitic M easurements, ...
  • S. Dahmani, Large-Size AlGaN/GaN HEMT Large-Signal Electrotherma C haracterization and ...
  • _ Laredj, L. Degachi, A. Birafane, F. M. Ghannouchi, [2] ...
  • pp. 1 _ 3, Hammamet, 201 1. ...
  • G. Dambrine, A. Cappy, F. Heliodore, and E. Playez, _ ...
  • P. M. White, and R. M. Healy , "Improved Equivalent ...
  • R. Tayerani, J. E. Gerber, T. Daniel, R. S. Pengelly, ...
  • Conference., pp. 451 _ 453 , Madrid, Spain, 1988. ...
  • P. L. Hower and N G. Bechtel, "Current saturation and ...
  • "Extrinsic extraction pocedure for a small-signal GaN-HEMT model, " International ...
  • Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit, " IEEE ...
  • Rohde, _ and reliable direct parasitic extraction method for MESFETs ...
  • signal characteristics of GaAs field effect transistors, " IEEE Trans ...
  • نمایش کامل مراجع