اثر میدان مغناطیسی و دما بر روی حساسه های نوری بر پایه گرافین
محل انتشار: ششمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 698
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE06_304
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله اثر میدانمغناطیسی و دما بر روی حساسیت سنسورهای ساخته شده از گرافین در دماهای پایین مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور انرژی آزاد و انرژی فرمی یک نمونه گرافیتی تک لایه محاسبه شده اند. در ادامه با استفاده از این کمیت ها، پاسخ سنسور بر حسب دما در میدان های مغناطیسی گوناگونی محاسبه و نمودار آن رسم شده است. همچنین، نمودار لگاریتمی پاسخ تراشه به حسب میدان مغناطیسی در دماهای مختلف برای بررسی بیشتر آورده شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش میدان مغناطیسی در دمای مشخص، حساسیت سنسور کاهش می یابد در حالی که، حساسیت سنسور با دما رابطه مستقیم دارد و با افزایش دما در میدانمغناطیسی مشخص حساسیت افزایش می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
بهناز افخمی عقدا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات یزد
علی مفتخرزاده
دانشگاه یزد
سیدمهدی حسینی
دانشگاه صنعتی شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :