طراحی تقویت کننده عملیاتی بهینه با استفاده از تکنولوژی 32 نانومتر سی ماس درمداراهای فیدبک

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 513

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE07_085

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

همانطور که در مدارهای منطقی ، گیت های NAND و NOR سنگ بنای تمام مدارهای دیجیتال هستند، می توان آپ امپ ها را سنگ بنای اکثر مدارهای آنالوگ دانست. در این تحقیق ، یک تقویت کننده عملیاتی با استفاده از پروسه 32nm CMOS ، ارائه و شبیه سازی می شود. این تقویت کننده با استفاده از منبع تغذیه 0.9 ولت کار می کند و مناسب جهت استفاده در کاربردهای کم ولتاژ است. این آپ امپ از پایداری خوبی برخوردار است و دارای حاشیه فاز 67 درجه و فرکانس بهره واحد 11 گیگا هرتز می باشد. زمان نشست در این آپ امپ در حدود 80 پیکو ثانیه است. همچنین نویز در حدود 25u به دست می آید.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده عملیاتی ، جبران سازی آپ امپ ، GM ، PM ، پایداری

نویسندگان

حامد محمدیان

پژوهشکده تکنولوژی تولید جهاد دانشگاهی (ACECR)

مهوش زری میدانی

پژوهشکده تکنولوژی تولید جهاد دانشگاهی (ACECR)

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • . Hardik Patel , Rajnikant Soni , " Low Voltage, ...
  • . Ali Dadashi , Shamin Sadrafshari , Khayrollah Hadidi, Abdollah ...
  • . Savisha A. P. Mahalingam, Md. Mamun, Labonnah F. Rahman ...
  • . Tim J. Sobering andlan _ Sobering. "A Starting Point ...
  • G. Nicollini, P. Conffalnoieri, and D. Senderowicz, "A fully differential ...
  • E. Sackinger and W. Guggenbuhl, "A high - swing high ...
  • R. G. Eschauizer, L. P. T. Kerklaan, and J. H. ...
  • نمایش کامل مراجع