طراحی یک مدار تمام جمع کننده با مصرف توان پایین برای تکنولوژی ولتاژ زیرآستانه

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 432

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE07_165

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ساختار جدید تمام جمع کننده ی تک بیتی با مصرف توان پایین برای تکنولوژی ولتاژ زیرآستانه ارائه شده است. مدارهای موجود برای بلوک های تمام جمع کننده بررسی و همچنین تمام جمع کننده ی پیشنهادی با تمام جمع کننده های رایج از نظر تأخیر انتشار، مصرف توان، PDP و DP2P در تکنولوژی ولتاژ زیر آستانه مقایسه شده است. نتایج شبیه سازی نرم افزار HSPICE نشان می دهد که تمام جمع کننده ی پیشنهادی با 17 ترانزیستور، نسبت به تمام جمع کننده ی SRCPL ، که ساختار برتر تمام جمع کننده های رایج می باشد، در مقدار 6.68% PDP در مقدار P2DP17.128 و حدود 12 % در مصرف توان، بهبود یافته است. مقایسه ساختارهای تمام جمع کننده در منبع ولتاژ mV260 انجام شده است.

کلیدواژه ها:

تمام جمع کننده ی تک بیتی ، تکنولوژی ولتاژ زیر آستانه ، توان مصرفی ، تأخیر انتشار ، مصرف توان نشتی

نویسندگان

ابراهیم پاک نیت

گروه مهندسی برق دانشگاه بین المللی امام رضا (ع) مشهد مقدس، ایران

سیدرضا طالبیان

گروه مهندسی برق دانشگاه بین المللی امام رضا (ع) مشهد مقدس، ایران

میلاد جلالیان عباسی مراد

گروه مهندسی برق دانشگاه بین المللی امام رضا (ع) مشهد مقدس، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ _ 32, pp. 1079-1090, 1997 . ...
  • _ _ _ _ _ Engineering Research, vol. 2, 2011. ...
  • _ _ _ _ _ _ (VLSI) Systems, ...
  • _ Moalemi and A.Afzali-Kusha, "Subthreshold 1-Bit Full Adder Cells in ...
  • _ _ _ _ of the 2003 _ [8] _ ...
  • _ 2014 _ 2014, [9] _ _ _ _ pp. ...
  • نمایش کامل مراجع