بررسی هیسترزیس با توجه به رانش یون ها در ممریستور با اعمال ورودی های مختلف

ممریستور چهارمین عنصر اصلی مدار بعد از مقاومت، سلف و خازن معرفی شده است، که رفتار آنالوگی دارد و یک عنصر پسیو، حافظه دار و با سرعت سوئیچینگ بالا و در ابعاد نانو ساخته شده است . منحنی هیسترزیس جریان - ولتاژ ممریستور باعث می شود بتواند به عنوان حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و مقادیر خود را تا زمان اعمال ولتاژ بعدی ذخیره و حفظ کند. حال برای اینکه بتوانیم استفاده مناسب تری از این عنصر داشته باشیم باید عملکرد مدل رفتاری ممریستور را بررسی و مشخصات آن استخراج شود که در این مقاله به بررسی رفتار این عنصر با تغییرنوع ورودی و پارامترهای آن مانند فرکانس و نوع ولتاژ ورودی وغیره،پرداخته ایم و حاصل این تغییرات را بر روی منحنی مشخصه ی ولتاژ - جریان مشاهده نمودیم.

کلیدواژه ها:

هیسترزیس ، ممریستور ، موج دندان اره ای ، موج مثلثی ، موج سینوسی ، موج مربعی