ساختار جدید تقویت کننده های عصبی CMOS برمبنای کسکود خود بایاس

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 642

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE07_432

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

چکیده مقاله:

ما در این مقاله ساختار جدید تقویت کنندگی مبتنی بر ترکیب مدارات سلف بایاسینگ و کسکود را جهت کاربردهای عصبی ارائه نموده ایم. ساختار ارائه شده ضمن ثابت نگه داشتن توان مصرفی، پاسخ فرکانسی و گین مدار را بهبود داده است و بدون نیاز به هیچ گونه مدار بایاس، کاهش مناسبی در سطح مورد استفاده ایجاد می کند. اثبات عملکرد در محیط نرم افزار HSPICE انجام شده و عملکرد مناسب ساختار تایید می گردد.این مدار دارای گین 51 دسی بل و نویز 4.7 میکرون است. توان مصرفی کل 35 میکرو ولت، ولتاژ کار 1.8 ولت و فرکانس کار قابل تنظیم است که نشان میدهد این ساختار برای سیستم های قابل کاشت مناسب است .

کلیدواژه ها:

بیوآمپلی فایر ، تقویت کننده ی CMOS ، سیگنال های عصبی ، خود بایاس ، تقویت کننده ی کسکود

نویسندگان

آوا هدایتی پور

دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران

شقایق اصلان زاده

دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران

پرویز امیری

دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران