ساختار جدید تقویت کننده های عصبی CMOS برمبنای کسکود خود بایاس
محل انتشار: هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 642
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE07_432
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
چکیده مقاله:
ما در این مقاله ساختار جدید تقویت کنندگی مبتنی بر ترکیب مدارات سلف بایاسینگ و کسکود را جهت کاربردهای عصبی ارائه نموده ایم. ساختار ارائه شده ضمن ثابت نگه داشتن توان مصرفی، پاسخ فرکانسی و گین مدار را بهبود داده است و بدون نیاز به هیچ گونه مدار بایاس، کاهش مناسبی در سطح مورد استفاده ایجاد می کند. اثبات عملکرد در محیط نرم افزار HSPICE انجام شده و عملکرد مناسب ساختار تایید می گردد.این مدار دارای گین 51 دسی بل و نویز 4.7 میکرون است. توان مصرفی کل 35 میکرو ولت، ولتاژ کار 1.8 ولت و فرکانس کار قابل تنظیم است که نشان میدهد این ساختار برای سیستم های قابل کاشت مناسب است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آوا هدایتی پور
دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران
شقایق اصلان زاده
دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران
پرویز امیری
دانشکده برق و الکترونیک دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران