بررسی اثر تعداد و مکان گیت های اعمال شده بر مشخصه جریان ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای

در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ در محیط نرم افزار سیلواکو - شبیه سازی شده است. اثر مکان و تعداد گیت های ترانزیستور نانوسیم بر مشخصه های جریان ولتاژ آن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج - نشان می دهند که با افزایش تعداد گیت ها اندازه جریان و رسانندگی ترانزیستور افزایش می یابد. برای ساختارهای چند گیتی بهترین نتیجه مربوط به آرایشی می باشد که ناحیه مرکزی کانال را تحت کنترل داشته باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدان ، نانوسیم ، سیلواکو ، مدل انتقال

نویسندگان

غزال ذوالفقاری

گروه مهندسی برق الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران : گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی دماوند، ایران

حجت اله خواجه صالحانی

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

G.E.Moore, "Cramming More Components Onto Integrated Circuits", Electronics, vol.38, no.8, ...
J.P.Colinge, "FinFETs and Other Multi-Gate Transistors", Springer, pp.8-13, 2008. ...
L. E .Wernersson, C.Thelander, E.Lind, L.Samuelson, "III-V Nanowires _ Extending ...
J.Knoch, W.Riess, J.Appenzeller, _ Outp erforming the conventional scaling rules ...
M _ Lieber.Charles , Wei.Lu, MemberPing .Xie, «" Nanowire Transistor ...
S.Chuang, Q.Gao, R.Kapadia, A.C.Ford, J.Guo, A.Javey, "Ballistic _ Transistors", Nano ...
M.Karthigai Pandian, N.B . Balamurugan, «" Analytical Threshold Voltage Modeling ...
R.Wulff, "Numerical Modeling of Nanowire Transistors" , University of Lund, ...
Silvaco, ATLAS Users Manual - device simulation software, 2013. ...
M. Sze, Semic onductor devices, physics and technology, 2nd ed, ...

نمایش کامل مراجع

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/621545

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE08_103

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

ذوالفقاری، غزال و خواجه صالحانی، حجت اله،1395،بررسی اثر تعداد و مکان گیت های اعمال شده بر مشخصه جریان ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای،هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران،گناباد،https://civilica.com/doc/621545

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، ذوالفقاری، غزال؛ حجت اله خواجه صالحانی)
برای بار دوم به بعد: (1395، ذوالفقاری؛ خواجه صالحانی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:

رتبه علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند

نوع مرکز: دانشگاه آزاد

تعداد مقالات: 2,086

در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

مقالات مرتبط جدید