CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS

اعتبار موردنیاز PDF: ۱ | تعداد صفحات: ۶ | تعداد نمایش خلاصه: ۴۱ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۵
کد COI مقاله: ICEEE08_168
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۸۰۴.۲۷ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۶ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

متن کامل این مقاله دارای ۶ صفحه در فرمت PDF قابل خریداری است. شما می توانید از طریق بخش روبرو فایل PDF این مقاله را با پرداخت اینترنتی ۳,۰۰۰ تومان بلافاصله دریافت فرمایید
قبل از اقدام به دریافت یا خرید مقاله، حتما به فرمت مقاله و تعداد صفحات مقاله دقت کامل را مبذول فرمایید.
علاوه بر خرید تک مقاله، می توانید با عضویت در سیویلیکا مقالات را به صورت اعتباری دریافت و ۲۰ تا ۳۰ درصد کمتر برای دریافت مقالات بپردازید. اعضای سیویلیکا می توانند صفحات تخصصی شخصی روی این مجموعه ایجاد نمایند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۶ صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS

  سیدوحید فیض بخش - گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی،مهاباد، ایران
  قادر یوسفی - گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی، مهاباد، ایران

چکیده مقاله:

با توجه به اهمیت زیادی که سیلیکون در سطح فنآوری دارد و 25 درصد سطح کره زمین را سیلیکان تشکیل میدهد، در صنعت به وفور از این عنصر استفاده CMOS مخصوصا در صنعت آیسیهای میگردد و در این مقاله سعی بر این است در محیطهای آزمایشگاهی و تجربی، دماها و محیطهایی که در آن این عنصر واکنش نشان می دهد را مورد بررسی قرار دهیم. همچنین نرخ رشد اکسید را در این محیطها با توجه به تحقیقات انجام شده و درپی آن استفاده از روشهای جدید برای رشد اکسید در اکسیداسیون سیلیکان و تغییر در نرخ سرعت تشکیل اکسید و افزایش مقاومت آن مورد بحث قرار دهیم. در این زمینه از دهه 60 میلادی تا به امروز با استفاده از روابط تجربی و همچنین اعداد وارقام آزمایشگاهی بدست آمده، چند مقالهی مهم از بدو پیدایش اکسیداسیون تا حالا مطالعه و در نهایت مقایسه آنها از لحاظ نرخ رشد اکسید و افزایش مقاومت استحکامی آنها مد نظر میباشد. در ضمن بیشتر کارههای انجام شده بر روی منحنیها قابل رویت و استناد بوده که در نهایت مورد بررسی قرار خواهند گرفت

کلیدواژه‌ها:

اکسیداسیون - آلیاژ- فوم پلیمری – کربید-مقاومت اکسیداسیون

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEEE08-ICEEE08_168.html
کد COI مقاله: ICEEE08_168

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
فیض بخش, سیدوحید و قادر یوسفی، ۱۳۹۵، پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS، هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران، گناباد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گناباد، https://www.civilica.com/Paper-ICEEE08-ICEEE08_168.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (فیض بخش, سیدوحید و قادر یوسفی، ۱۳۹۵)
برای بار دوم به بعد: (فیض بخش و یوسفی، ۱۳۹۵)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • General Relationship for the Thermal Oxidation of SiliconB. E. DEAL ...
  • C. R. Fuller and F. J. Strieter, "Silicon Oxidation, " ...
  • M. _ Thurston, J. C. C. Tsai, and K. D. ...
  • J. Wang, L. Kong, J. Wu, T. Li, _ _ ...
  • resistance of graphite foams by polymer derived-si licon carbide coating ...
  • D. Chen, Z. Li, W. Miao, Z. Zhang «Effects of ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: ۱۷۶۲
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.