پیدایش اکسیداسیون سیلیکان و روشهای افزایش سرعت نرخ رشد و مقاومت استحکامی آن برای کاربرد ساخت آیسیهایCMOS
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 431
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE08_168
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
با توجه به اهمیت زیادی که سیلیکون در سطح فنآوری دارد و 25 درصد سطح کره زمین را سیلیکان تشکیل میدهد، در صنعت به وفور از این عنصر استفاده CMOS مخصوصا در صنعت آیسیهای میگردد و در این مقاله سعی بر این است در محیطهای آزمایشگاهی و تجربی، دماها و محیطهایی که در آن این عنصر واکنش نشان می دهد را مورد بررسی قرار دهیم. همچنین نرخ رشد اکسید را در این محیطها با توجه به تحقیقات انجام شده و درپی آن استفاده از روشهای جدید برای رشد اکسید در اکسیداسیون سیلیکان و تغییر در نرخ سرعت تشکیل اکسید و افزایش مقاومت آن مورد بحث قرار دهیم. در این زمینه از دهه 60 میلادی تا به امروز با استفاده از روابط تجربی و همچنین اعداد وارقام آزمایشگاهی بدست آمده، چند مقالهی مهم از بدو پیدایش اکسیداسیون تا حالا مطالعه و در نهایت مقایسه آنها از لحاظ نرخ رشد اکسید و افزایش مقاومت استحکامی آنها مد نظر میباشد. در ضمن بیشتر کارههای انجام شده بر روی منحنیها قابل رویت و استناد بوده که در نهایت مورد بررسی قرار خواهند گرفت
کلیدواژه ها:
اکسیداسیون - آلیاژ- فوم پلیمری – کربید-مقاومت اکسیداسیون
نویسندگان
سیدوحید فیض بخش
گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی،مهاباد، ایران
قادر یوسفی
گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی، مهاباد، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :