CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

مروری بر تکنولوژی ساخت و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت چرخشیPS-MOSFET

اعتبار موردنیاز PDF: ۱ | تعداد صفحات: ۵ | تعداد نمایش خلاصه: ۶۶ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۵
کد COI مقاله: ICEEE08_170
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۴۶۷.۷۱ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۵ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

متن کامل این مقاله دارای ۵ صفحه در فرمت PDF قابل خریداری است. شما می توانید از طریق بخش روبرو فایل PDF این مقاله را با پرداخت اینترنتی ۳,۰۰۰ تومان بلافاصله دریافت فرمایید
قبل از اقدام به دریافت یا خرید مقاله، حتما به فرمت مقاله و تعداد صفحات مقاله دقت کامل را مبذول فرمایید.
علاوه بر خرید تک مقاله، می توانید با عضویت در سیویلیکا مقالات را به صورت اعتباری دریافت و ۲۰ تا ۳۰ درصد کمتر برای دریافت مقالات بپردازید. اعضای سیویلیکا می توانند صفحات تخصصی شخصی روی این مجموعه ایجاد نمایند.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل PDF مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۵ صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله مروری بر تکنولوژی ساخت و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت چرخشیPS-MOSFET

  فرزاد جهینی - گروه مهندسی برق- الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی، مهاباد، ایران
  قادر یوسفی - گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی، مهاباد، ایران

چکیده مقاله:

در سالهای اخیر ترانزیستورهای چرخشی توجه زیادی را بعنوان یک بلوک ساختمانی پرکارکربرد مدارات مجتمع آینده به خود جلب کردهاند. در این مقاله سعی بر این است که مراحل ساخت یک ماسفت چرخشی-کارکردی با نام ماسفت شبهچرخشی MOSFET-PS بررسی و توصیف شود. ماسفت چرخشی یک مداری است که از یک ماسفت معمولی و اتصال تونل مغناطیسی MTJ برای باز تولید توابع ترانزیستورهای چرخشی استفاده میکند. تکنیکهای یکپارچهسازی قطعه برای یک ماسفت دروازه زیرین از یک حامل سیلیکون- بر- عایق SOI استفاده کرده و برای یک MTJ با یک الکترود آلیاژ و بازدارنده تونل MgO توسعه داده شده است. MOSFET-PS ساخته شده، رسانایی متقابل کم و جریان زیاد کنترل شده را توسط پیکربندیهای مغناطیسی MTJ در دمای اتاق از خود نشان میدهد. اما در سالهای اخیر با روش مجتمعسازی توسعه یافته با استفاده از یک تراشه MPW CMOS توانستهاند MTJهای ساخته شده بر روی تراشه را با نسبت مقاومت مغناطیسی TMR بزرگ > 140 و سازگار با کاربرد ماسفت چرخشی تولید کنند. توسعه این تکنولوژی میتواند درها را برای کاوش مدارهای ترکیبی کاربردی جدید مبتنی بر CMOS باز کند. چند مقالهی مهم از بدو پیدایش این نوع ترانزیستورها تا حالا مطالعه و در نهایت مقایسه آنها از لحاظ نسبت مقاومت مغناطیسی و کنترل و افزایش جریان خروجی و حداکثر نسبت جریان مغناطیسی بصورت نموداری بررسی میشوند.

کلیدواژه‌ها:

ماسفت چرخشی - اتصال تونل مغناطیسی -نسبت مقاومت مغناطیسی- نسبت جریان مغناطیسی

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-ICEEE08-ICEEE08_170.html
کد COI مقاله: ICEEE08_170

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
جهینی, فرزاد و قادر یوسفی، ۱۳۹۵، مروری بر تکنولوژی ساخت و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت چرخشیPS-MOSFET، هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران، گناباد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گناباد، https://www.civilica.com/Paper-ICEEE08-ICEEE08_170.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (جهینی, فرزاد و قادر یوسفی، ۱۳۹۵)
برای بار دوم به بعد: (جهینی و یوسفی، ۱۳۹۵)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Y. Shuto and et all, _ A new spin-functi onal ...
  • Y. Shuto, Y. Yamamoto, S. Sugahara? Nonvolatile static random access ...
  • M. Tanaka, S. Sugahara، MOS-based spin devices for rec onfigurable ...
  • S. Yamamoto, Y. Shuto, S. Sugahara، Nonvolatile delay flip-flop using ...
  • S. Sugahara? Spin metal-oxi de- s emiconductor field-effect ansistors Sp ...
  • S. Sugahara, J. Nitta _ Spin-transistor electronics: an overview and ...
  • R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z.C. Wend, S. Yamamoto, ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: ۱۷۶۲
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.