طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامترDIBL

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 397

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEES01_027

تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ساختار جدید باری ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL و اثر خود گرمایی می باشد.

نویسندگان

صمد قلندری

کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

آرش احمدی

استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Colinge, J.P .(2004) _ "Silicon on Insulator Technology: Materials to ...
  • Kumar, M.J., Orouj i, A.A.(2005), _ dimensional analytical threshold voltage ...
  • Chaudhry, A. , Kumar, M.J. (2004), ...
  • M.Braccioli, G.Curatola, Y.Yang, ...
  • architectures" solid-stste Electronics.pp .445- 451, 2009. ...
  • C. F.-Beranger, S. Denorme, P. Perreau, C. Buj, O. Faynot, ...
  • Deleonibus, T. Skotnicki , "FDSOI devices with thin BOX and ...
  • A. Chaudhry and M. Jagadesh Kumar, "Controlling Short-Channel Effects in ...
  • MATERIALS RELIAB ILITY, VOL. 4, NO. 1, pp.99-109, MARCH 2004. ...
  • J.P. colinge, "Silicon On Insulator ...
  • technology: materials to VLSI", 3rd edition, Kluwer Academin Publishers, 2004. ...
  • User munual for ISE TCAD. ...
  • H.Ghanatian, M.Fathipour and H.Talebi, :Nanoscale Ultra Thin Body- Silicon-On- Insulator ...
  • MOSFETs", IEEE TRAN SACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol.45, No.5, pp.1116-1121, ...
  • نمایش کامل مراجع