طراحی مالتی پلکسر با استفاده از ترانزیستورهای اثرمیدان نانو لوله کربنی با قابلیت توان مصرفی پایین و پاسخ فرکانسی بالا
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 680
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEES01_046
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک مالتی پلکسر با توان پایین و پاسخ فرکانسی بالا ارائه شده است که در آن از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بجای ترانزیستور CMOSاستفاده شده است. مدار پیشنهادی نسبت به مدارهای مشابه خود دارای توان مصرفی پایین و پاسخ فرکانسی بالا می باشد این مدار با تکنولوژی 320 نانو متر و با منبع تغذیه 0.9 ولت شبیه سازی شده توان مصرفی 48.9 میکرووات می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیرا دمی زاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس
فرشاد بابازاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، دانشکده مهندسی برق،گروه الکترونیک، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :