طراحی مالتی پلکسر با استفاده از ترانزیستورهای اثرمیدان نانو لوله کربنی با قابلیت توان مصرفی پایین و پاسخ فرکانسی بالا

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 680

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEES01_046

تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک مالتی پلکسر با توان پایین و پاسخ فرکانسی بالا ارائه شده است که در آن از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بجای ترانزیستور CMOSاستفاده شده است. مدار پیشنهادی نسبت به مدارهای مشابه خود دارای توان مصرفی پایین و پاسخ فرکانسی بالا می باشد این مدار با تکنولوژی 320 نانو متر و با منبع تغذیه 0.9 ولت شبیه سازی شده توان مصرفی 48.9 میکرووات می باشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی ، مالتی پلکسر ، نانو لوله کربنی

نویسندگان

سمیرا دمی زاده

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس

فرشاد بابازاده

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، دانشکده مهندسی برق،گروه الکترونیک، تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Meenakshi Mishra and Shyam Akashe, "High performance, low power 200 ...
  • Allen, B. _ .Kichambare, P. D. Star, A. "Carbon Nanotube ...
  • Anas N. Al-Rabadi "Carbon Nand Tube (CNT) Multiplexers for ...
  • G. Amaratunga, "Watching the nanotube, " IEEE Spectrum, pp. ...
  • _ and D. _ nanotube based device and interconect using ...
  • _ _ _ _ Gate and Design Techniques, pp. 75-78, ...
  • S. Das, S. Bhattacharya, D. Das, "Performance Evaluation of CNTFET-based ...
  • Sanjeet Kumar Sinha1, Saurabh Choudhury2 "CNTFET based Logic Circuits: A ...
  • نمایش کامل مراجع