طراحی مبدل DC به DC رزونانسی LLC سری سه فاز با استفاده از ماسفت سیلیسیم کاربید

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمایبالا نشان می دهند. در میان چندگونه سیلیکن کاربیدی، گونه H-SiC4 با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. ماسفتهای سیلیسیم کاربید برای ایجاد مبدل DC/DC رزونانس سری به همراه ترانسفورماتورهای ایزوله استفاده میشود. در این مقاله با استفاده از ماسفت های سلیسیم کاربید ، فرکانس کلیدزنی و ولتاژ ورودی را تا حد ممکن افزایش داده از طرفی با افزایش فرکانس کلیدزنی درترانزیستورها،حجم ترانسفورماتورهای ایزوله با موفقیت کاهش می یابد. در حالی که ترانزیستورهای دو قطبی دروازهایعایق (IGBT) و کلیدهایی نظیر ترانزیستور خاموش شونده با گیت یا GTO و تریستور قادر به دستیابی به چنین سرعت کلیدزنی بالایی نمی باشند. تحمل ولتاژ بالا در تجهیزات سیلیسیم کاربید باعث افزایش ولتاژ ورودی میشود. از سوی دیگر،توپولوژی مدار سه فاز برای دستیابی به ظرفیت های بالا و کاهش همزمان جریان فاز در هر فاز استفاده می شود وترانسفورماتورهای متعادل کننده جریان، به طور موثر مانع از ایجاد افزایش جریان در مدار می شود، که این نیز تکنیکیبرای کوچک کردن ظرفیت های ورودی و خروجی میباشد. راندمان تبدیل مبدل در حداکثر توان به 97.6 ٪ می رسد. کهنتایج با نرم افزار MATLAB شبیه سازی شده است.

کلیدواژه ها:

ترانسفورماتور متعادل کننده جریان ، مبدل رزونانس سری LLC ، ماسفت سیلیسم کاربید