مزایا و چالش های سلول حافظه ایستا بر اساس نانولوله کربنی

با پیشرفت فناوری و کوچکتر شدن ابعاد، جریان نشتی ترانزیستور ها و هم چنیم تغییرات فرایند بسیار مهم شده اند. هم چنین با افزایش بسیار زیاد تعداد دستگاه های قابل حمل که اکثر زمان در حالت بیکاری هستند، نقش جریان نشتی بسیار مهم تر شده است. تغییرات فرایند باعث کاهش کارایی و پایداری سلول ها و هم چنین افزایش جریانات نشتی ترانزیستورها می شود. برای مقابله با این محدودیت ها فناوری های غیر از MOSFET پیشنهاد شده اند. از جمله ی این فناوری ها می توان به ترانزیستور های CNTFET اشاره نمود. CNTFET جریان خاموش کمتر و جریان روشن بیشتری ارائه می دهد و مزایای دیگری همچون مصرف توان پایین و سرعت عملکرد بیشتر را در ساخت سلول های حافظه به همراه دارد. در این مقاله ...

کلیدواژه ها:

نانولوله ی کربنی ، ترانزیستور اثرمیدانی ، سلول حافظه ایستا. CNTFET ، MOSFET HSPICE