تشخیص خطای مقاوم با استفاده از روش H2/H∞ برای سیستمهای فتوولتائیک

برای مشکل حفاظتی تکنیک عیب یابی بر اساس اندازه گیری های پارامترهای فتوولتائیک نظیر ولتاژ ، جریان ، شدت تابش ، دما و... مطرح میشود. در حال حاضر یکی از مشکلات الگوریتم تشخیص عیب در پنل سلولهای خورشیدی عدم توانایی آن ها در شناسایی محل دقیق رویداد عیب در سیستم است. در این پژوهش به تشخیص و شناسایی مقاوم در برابر عیب در سیستم های فتوولتائیک با استفاده از روش H2/H∞ پرداخته شده است . سیستم های واقعی همواره شامل نامعینی یا عدم قطعیتهایی میباشند که این نامعینی ها میتواند ناشی از عدم قطعیت در حضور اغتشاش باشد. برای نشان دادن کارایی این روش تفاضل خروجی سیستم را با خروجی مدل که سیگنال باقیمانده میباشد با استفاده از شبیه سازی مشاهده و تحلیل کرده تا کارایی لازم را برای ادامه کار سیستم تضمین کند. هدف اصلی ارائه یک سیستم تشخیص و شناسایی عیب((FDI به روش مقاوم میباشد به گونه ای که تاثیر عیب روی مدل را بیشینه کند تا عیب را به وسیله سیگنال باقیمانده تشخیص دهد و سیستم در مقابل اغتشاش مقاوم باشد تا به کار خود ادامه دهد. روش مقاوم با استفاده از H2/H∞ یکی از روشهایی است که کارایی سیستم را در حضور اغتشاش و عدم قطعیت های مختلف تضمین میکند.

کلیدواژه ها:

سیستم فتوولتائیک ، H2/H∞ ، تشخیص و شناسایی عیب (FDI) ، نامعینی