Discussion Field-Effect Nano Transistor with Graphene Armchair
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 592
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON02_002
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
The purpose of this paper is to use software package ATK-SE package, in combination with virtual Nano-Lab (VNL),which can be used toinvestigate a Nano-scale transistor. For the transistor structure we will use a graphene junction device, where ATK is used to investigate theproperties of a similar system. The effect of various parameters on the structure of graphene Nano-ribbon checked. It consists of 3 regions andforms a metal-semiconductor-metal junction. By applying a gate potential to the central region, the system can function as a field effecttransistor, which is able to calculate properties, Transmission spectrum, Temperature dependent conductance, Conductance and Current asfunction of gate potential and temperature. So in this paper, the device design and simulation parameters are associated with improvedperformance.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Ashkan Ghanbari
Phd Student in Electronics Engineering,Islamic Azad University(Tehran Central Branch)
Alireza Kashani nia
Department of Electronics Engineering, Islamic Azad University(Tehran Central Branch)
Saeed Masoomi
Department of Electronics Engineering, Islamic Azad University(Tasouj Branch)
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :