پیادهسازی مدل فشرده مداری ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولوله کربنی

کاهش مقیاس قطعات، نیروی محرکهای در پیشرفت تکنولوژی از آغاز قرن نوزدهم بوده است. تکنولوژی 65 نانومتر در سال 2006 و تکنولوژی 45 نانومتر در سال 2007 مورد استفاده قرار میگرفت. اما کاهش خیلی زیاد مقیاس با برخی از محدودیتهای جدی مواجهه شده است. این محدودیتها به فناوری ساخت و اجرای دستگاه مربوط میشود. در این مقاله ، مدل فشرده مداری 5 خازنی برای ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی با استفاده از نرمافزار ADS پیشنهاد شده است. این مدل شامل پراکندگی فونون و جریان تونلزنی باند به باند میباشد. کدی که در verilog-A نوشته شده، توسط ترانزیستور نمادی از 5 ترمینال به ADS پیوند یافته است. این کد توسط شبیهسازی مشخصات I-V ا ز کانال n و کانال p ، CNTFET بازبینی شده است .در اینجا ضمن محاسبه پارامترها به مقایسه نتایج حاصله نیز پرداخته ایم.ملاحظه می شود نتایج بدست آمده با آنچه در کارهای مشابه گزارش شده است تطابق کامل دارد

کلیدواژه ها:

نانو لوله های کربن ، تونل زنی ، ترانزیستور های اثر میدانی