طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در فناوری CMOS برای رسیدنبه بهره dB 48 با استفاده از اتصال ضربدری و ساختار کسکود

ساختار تقویت تقویت کنندهی کم نویز نوع خاصی از تقویت کنندههای الکترونیکی است که در سیستمهای مخابراتی برای تقویت سیگنالهای گرفته شده از آنتن به کار میرود و اغلب در فاصله ی کمی از آنتن قرار میگیرد تا افت سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد. تقویتکنندهی کم نویز به عنوان اولین طبقه در مسیر گیرنده بیشترین سهم را در نویز گیرنده دارد و طراحی آن با توان مصرفی کم و بهرهی بالا میتواند راه گشای یک سیستم بسیار ارزان باشد که تمام اجزای آن روی یک تراشه قراربگیرد. در این مقاله برای طراحی مدار تقویتکنندهی کم نویز از فناوری CMOS μm 0/13 استفاده شده است. تقویت کنندهی کم نویز ارائه شده در این مقاله از ساختار خازن ضربدری به منظور رسیدن بهتوان مصرفی پایین استفاده میگردد. همچنین از یک طبقه کسکود و مدار گیت مشترک ساختار دیگری میباشد که بعد از ساختار خازن ضربدری استفاده شده است. با استفاده از ساختار کسکود میتوانیم به یک تطبیق مناسب در ورودی برسیم. دست یافتن به بهره بالا از دیگر ویژگیهای این مدار میباشد

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، عدد نویز ، بهره ، ساختار کسکود ، خازن ضربدری