محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,341
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON03_142
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار 3/3eV بوده و در ازایتابش 1000mW/cm2 میزان جریان نوری حدود 10 میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع پرداخته شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محدثه کاسه گر
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
سید صالح قریشی
عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
شهریار تمندانی
عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :