محاسبه جریان در دیود مبتنی بر نانوسیم های ZnO
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 658
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON03_182
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
دراین مقاله،جهت بررسی و ترسیم منحنی مشخصه جریان-ولتاژ دیود مورد نظر، به حل معادله پیوستگی می پردازیم. برای این منظور، حل معادله با اعمال شرایط خاص در مقاله انجام می پذیرد. سپس مقادیر ولتاژآستانه(Vt) را به ازای طول های مختلف نانوسیم و چگالی های الکترون تاریک(neq) بررسی می کنیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با تغییر طول نانو سیم ها و چگالی های الکترون تاریک(neq)ولتاژ کاهش می یابد. همچنین جریان نیز با تغییر این دو پارامتردارای تغییرات خواهد بود. همان طور که ملاحظه می شود،ولتاژ و جریان به طول نانو سیم ها و (neq) بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع می پردازیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهرا کوزه گر کالجی
دانشجوی کارشناسی ارشد، برق گرایش الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
سیدصالح قریشی
عضو هیئت علمی برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
شهریار تمندانی
عضو هیئت علمی برق گرایش الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :