بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر جلوگیری از ته نشین شدن ذرات در میکروکانال ها

در این مقاله به بررسی اثر میدان مغناطیسی در ته نشینی و انتقال حرارت نانو ذرات به روش اویلری- لاگرانژی در میکرو کانال ها پرداخته شده است.کلیه محاسبات، ذرات به صورت ذرات Al2O3 با قطر معادل 20 نانومتر در نظر گرفته شده است. نتایج نشان می دهد تغییرات دمایی ذرات متجاوز از ناحیه ی لایه ی مرزی حرارتی سیال نمی شوند یا لااقل اثرگذاری ذراتی که در بیرون از لایه ی مرزی حرارتی قرار می گیرند بسیار ناچیز است. نوع جریان در ورودی ( توسعه یافته و غیر توسعه یافته) می تواند بهبود و یا عدم بهبود ته نشینی ذرات را به صورت قابل ملاحظه ای تغییر دهد. ازآنجایی که ته نشینی ها در میکرو کانال ها غالبا به صورت سرتاسری در دیواره ها اتفاق می افتد چگونگی اعمال و مکان و تعداد قرار گرفتن سیم حامل جریان بسیار اهمیت دارد. این مقاله نشان می دهد به وسیله ی یک سیم حامل جریان الکتریکی در مکانی خاص از دیواره میکرو کانال می توان میزان ته نشینی ذرات در آن دیواره را حتی تا صفر نیز تقلیل داد. در ادامه به اثرگذاری انتقال حرارت مزدوج در ته نشینی ذرات پرداخته می شود. نتایج نشان می دهد هرچند نوع میدان دمایی ذرات تغییر خواهد کرد ولی با توجه به ابعاد ذره و نوع آن اثر زیادی در ته نشینی نخواهد داشت.

کلیدواژه ها:

نانوسیال ، میدان مغناطیسی ، مدل اویلری- لاگرانژی ، ته نشینی ، میکروکانال