مطالعه عددی انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در مینیکانال تحت اثر میدان مغناطیسی با مدل های مختلف نیروی مغناطیسی

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مغناطیسی1 Fe3O4 با سیال پایه آب در حضور میدان مغناطیسی به صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. هندسه مورد مطالعه، کانال دوبعدی افقی در اندازه 2×20 میلیمتر با دیواره پایینی دما ثابت و دیواره بالایی عایق بوده و میدان مغناطیسی دوقطبی خطی در میانه سطح پایینی اعمال شده است. تاثیر مدلهای مختلف نیروی مغناطیسی در چهار قدرت متفاوت و اعداد رینولدز10، 25 و 40 بر انتقال حرارت جابجایی اجباری در دو حالت تکفازی و دوفازی با روش حجم محدود2 مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که اعمال میدان مغناطیسی با هرکدام از مدلهای نیرو، در مقیاسهای متفاوتی باعث افزایش ضریب انتقال حرارت نسبت به حالت بدون میدان میشود. این مقادیر، با افزایش عدد رینولدز روند نزولی پیدا میکنند. همچنین روش تک فازی مقادیر افزایش انتقال حرارت بیشتری نسبت به روش دوفازی پیش بینی میکند.

کلیدواژه ها:

جابجایی اجباری ، نانوسیال مغناطیسی ، مدل دوفازی ، کانال ، میدان مغناطیسی